近日，863计划先进设备生产技术领域“大尺寸SiC材料与器件的生产设备与工艺技术研究”课题通过了技术竣工验收。一般来说，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等长禁带半导体材料称作第三代半导体材料。

其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和状态漂移速度、热导率等综合物理特性上具备更为引人注目的综合优势，尤其在抗高电压、高温等方面性能最为显著，由于第三代半导体材料的生产装备对设备真空度、高温冷却性能、温度控制精度以及高性能温场产于、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的拒绝，长期以来制约着我国第三代半导体材料的规模化、产业化发展。在国家863计划的反对下，由新疆天科合达蓝光半导体有限公司联合，中科院物理研究所、半导体研究所、浙江大学等单位联合参予的研发团队顺利研制了符合高压SiC电力电子器件生产所需的4－6英寸SiC单晶生长炉关键装备，构成了我国具备自律知识产权的4－6英寸SiC单晶生长炉关键装备体系。

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